結合傳統Al2O3和BeO襯底材料的綜合性能優勢，氮化鋁（AlN）陶瓷具有高導熱性（單晶的理論導熱率為275W/m?k、 多晶體的理論導熱系數為70~210W/m?k） ，介電常數低，熱膨脹系數與單晶硅相匹配，具有良好的電絕緣性能，是微電子行業電路基板和封裝的理想材料。由于其良好的高溫力學性能、熱性能和化學穩定性，它也是高溫結構陶瓷元件的重要材料。
AlN的理論密度為3.26g/cm3，MOHS硬度為7-8，室溫電阻率大于1016Ωm，熱膨脹率為3.5×10-6/℃（室溫200℃）。純AlN陶瓷是無色透明的，但由于雜質的存在，它們會變成各種顏色，如灰色、灰白色或淺黃色。
AlN陶瓷除了具有高導熱性外，還具有以下優點：
1.電氣絕緣良好；
2.熱膨脹系數與硅單晶相近，優于Al2O3、BeO等材料；
3.具有較高的機械強度和與Al2O3陶瓷類似的彎曲強度；
4.介電常數和介電損耗適中；
5.與BeO相比，AlN陶瓷的熱導率受溫度的影響較小，尤其是在200℃以上；
6.耐高溫、耐腐蝕；
7.無毒；
8.適用于半導體工業、化學冶金工業等工業領域。
